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碳化硅_化工百科 - ChemBK
2024年1月2日 性质. 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。 在常压下2500℃时发生分解。 相对密度3.20～3. 2019年10月10日 本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、 定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及 T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓 度及分布的二 ...
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【半导体】干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍-电子工程专辑
2024年1月23日 传统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。. 一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向 2022年12月1日 实现碳化硅离子注入的方法. 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫描 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区
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在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ - 百度知道
2019年4月16日 有两种方法：化学除铁法和物理触铁法，下面一款来看一下具体过程。. 化学除铁法： 因为碳化硅的化学稳定性比较好，较难与其他物质反应，而铁较易于其他物 2022年5月28日 氮杂质常用来调控碳化硅的宏观电学性质，科研人员结合开尔文探针显微技术和理论计算，进一步发现：氮杂质与位错的相互作用方面另有奥秘。 在掺氮过程中， 给碳化硅“看病”！浙大杭州科创中心在碳化硅缺陷研究方面 ...
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碳化硅晶界杂质的第一性原理分析,Acta Materialia - X-MOL
2021年10月30日 碳化硅是一种重要的结构和电子陶瓷材料，在需要在极端条件下保持稳定性的各种应用中都有许多用途。 在这项研究中，我们使用第一性原理方法详细研究了点 2018年11月18日 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网
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T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓 度及分布的二 ...
2019年10月10日 出口碳化硅分析方法 碳化硅含量的测定 2.3 术语及定义 GB/T 14264、GB/T 22461 界定的以及下列术语和定义适用本文件。 2.4 方法原理 该部分内容对应《标准》的第 4 章内容，详细阐述了二次离子质谱仪检测半导体碳化硅 材料中的痕量杂质铝、钒浓度 2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ...碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 - 国家自然科学基金 ...
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碳化硅,什么是碳化硅,主要成份作用与用途有哪些等-涨知识
2017年11月7日 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β-碳化硅转变成α-碳化硅，α-碳化硅在2400℃依然安稳。2022年12月1日 1 PVT法生长碳化硅晶体 1955年，Lely等首次提出了一种用于制备碳化硅晶体的升华技术，自此开启了碳化硅材料制备及器件制造的新局面。 遗憾的是，由于该方法所得晶体尺寸有限、形状不规则且容易包含多种晶型，难以应用于实际器件制造中。PVT 法生长 4H-SiC 晶体及多型夹杂缺陷研究进展-icspec
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殉铭涣（SIC）莺砰腐档拐她达送渴揣（SIC）物哟茵魄积；
Explore the advancements in semiconductor materials, focusing on the third-generation wide bandgap semiconductors represented by SiC.2023年6月12日 当碳化硅器件工艺线与硅器件工艺线共用时，为 避免金属污染对硅器件性能造成不利影响，碳化硅产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件） 表面的痕量杂质元素浓度表征至关重要。电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)是检测材料痕量杂质元素碳化硅晶片表面金属元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
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无压烧结碳化硅辊棒--1900℃，0金属杂质_陶瓷
2021年1月30日 4）碳化硅托盘：金属杂质 少，耐浓硫酸、浓硝酸腐蚀； 5）碳化硅悬臂桨：金属杂质少，耐浓硫酸、浓硝酸腐蚀； 6）碳化硅气浮运动平台：碳化硅气浮运动平台硬度仅次于金刚石，长期使用不变形，热膨胀系数4.0，耐磨损，长期使用精度高 ...2024年3月6日 碳化硅单晶生长第一步，要纯! 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。. 生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。. 碳 碳化硅单晶生长第一步，要纯!_合成_过程_杂质
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知乎专栏
Explore a wide range of topics and discussions on Zhihu's dedicated column page, offering insights and perspectives from various experts.2024年1月2日 碳化硅. 性质. 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。. 在常压下2500℃时发生分解。. 相对密度3.20～3. 25,介电常数7.0，室温下电阻率102M．cm。. 碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为9.2～9.5，但比金刚石 ...碳化硅_化工百科 - ChemBK
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微波酸碱处理微纳米碳化硅粉体杂质去除工艺研究 - 百度学术
微波酸碱处理微纳米碳化硅粉体杂质去除工艺研究. 利用微波消解技术和酸碱化学介质对微纳米碳化硅粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺进行了研究.正交试验结果表明:微波功率4 k W,微波频率2450 MHz时,反应温度90℃,盐酸浓度3 molL~ (-1),反应时间10 min,液固比4:1,Fe_2O_3去除 ...2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。. 为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。. 离子注入是一种向半导体材料内部加入特 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区
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给碳化硅“看病”！浙大杭州科创中心在碳化硅缺陷研究方面 ...
2022年5月28日 在碳化硅中，铝杂质常用来调控碳化硅的宏观电学特性。 带负电的铝杂质在碳化硅中引入大量空穴，实现了P型碳化硅的制备。 然而，科研人员发现在碳化硅掺铝的过程中无意形成了大量带正电的碳空位，它们能影响碳化硅材料整体的电学性能，制约P型碳化硅电阻率的降低。2019年11月20日 本标准规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮等杂质含量的二次离子质谱测试方法。. 根据文献资料以及多年的试验经验得出，使用该方法测试的硼含量不小于5×1013cm-3、铝含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm-3。. 根据二次离子质谱相对灵敏度因子法定量的原理 ...国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子 ...
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深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法 - 百度学术
深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法[发明专利] 11 人查看 热门文献 掌桥科研 钛学术 (全网免费下载) 钛学术 钛学术 (全网免费下载) 通过文献互助平台发起求助，成功后即可免费获取论文全文 ...其中,杂质含量少的呈绿色,被称为绿色碳化硅;杂质含量多的呈黑色,被称为黑色碳化硅)。 采用该方法生产的也可称为高温法碳化硅,它的相为α-SiC。 用此方法生产的碳化硅如果要用到陶瓷生产中,还需经过粉碎与提纯处理,达到所需的纯度与粒度后方能使用。碳化硅特性_百度文库
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一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法与流程
2021年4月27日 1.本发明属于化学检测技术领域，具体涉及一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法。背景技术： 2.碳化硅的硬度高、耐磨性和研磨性能好，并且铀抗热冲击、抗氧化、抗化学试剂作用、抗熔盐和抗熔融金属的高稳定性。 近年来关于其化学元素检测的报道有很多，并发布了国家标准gb ...碳化硅中杂质元素氮的测定. 碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为铵态氮.消解后的溶液,碱化蒸馏出的氨被硼酸吸收.用标准盐酸 ...碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术
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SiC发光特性及其调控研究进展 - 仁和软件
2015年9月25日 碳化硅（SiC）作为第三代半导体的代表材料，具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点，所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力。本文综述了国内外SiC发光性质的研究现状，介绍SiC发光的实际应用，阐述了单晶、纳米晶和薄膜不同形态SiC的制备方法及发光 ...2024年4月10日 德国标准化学会 ，关于碳化硅中杂质的标准. DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试.用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率. DIN EN 15979:2011-04 陶瓷原材料和基础材料的检测 直流电弧激励OES直接测定碳化硅 ...碳化硅中杂质标准-分析测试百科网
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sic材料n型掺杂的第一性原理研究 - 豆丁网
2014年9月9日 本文主要采用第一性原理的方法来研究n型掺杂对4H．SiC的电子结构的影响。. 主要工作如下：首先，陈述本课题的研究背景，并提出所作研究的意义。. 简单介绍了SiC的结构、性能和研究现状。. 其次，简述第一性原理研究的基本方法及其理论发展过程，并介绍了 ...2020年2月12日 在碳化硅微粉的生产过程中，除了要去除碳杂质外，铁也是其中必须去除的杂质之一，以下是去除铁杂质的5种方法：. 一、化学除铁工艺——酸浸法. 碳化硅微粉中的铁杂质主要以单质铁及其氧化物化铁的形式存在。. 因为单质铁及其三氧化铁均溶于硫酸、硝酸 5种碳化硅微粉去除铁杂质的工艺方法_水进行
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【半导体】干货丨碳化硅离子注入和退火工艺介绍-电子工程专辑
2024年1月23日 与硅中扩散系数相比，磷、铝、硼和氮元素在碳化硅中的扩散系数都很低，因此碳化硅中需要2000 ... 图1. SiC和Si中主要掺杂杂质 的扩散常数对比图 在离子注入过程中，离子因为与衬底晶格原子碰撞逐渐失去能量，同时会将能量转移给碰撞 ...碳化硅单晶生长第一步，要纯! 2024/02/28 点击 3786 次 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响 ...碳化硅单晶生长第一步，要纯!_中国纳米行业门户
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一种降低碳化硅单晶中氮杂质含量的方法[发明专利]_百度文库
2018年6月5日 1 .一种降低碳化硅单晶中氮杂质的方法，其特征在于，步骤如下： (1)选取特种元素并与SiC粉体原料混合，将混合后的SiC粉体原料置于石墨坩埚底部， 将籽晶设置于坩埚盖上，将坩埚盖设置于所述石墨坩埚顶部； (2)对生长室抽真空，初步除去生长室中的氧气 2024年6月25日 碳化硅器件制造那些事儿（二）. 低功耗电容感应还可以这样设计？. QSPICE 仿真技术手册（附疑难解答）. 离子注入是一种向半导体材料内加入一定数量和种类的杂质，以改变其电学性能的方法，可以精确控制掺入的杂质数量和分布情况。. 在功率半导 碳化硅器件制造那些事儿（二）-电子工程专辑
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碳化硅粉体钨杂质 - 百度文库
碳化硅粉体钨杂质- 碳化硅粉体钨杂质碳化硅粉体中的钨杂质是一个值得关注的问题。钨作为一种金属元素，如果在碳化硅粉体中以杂质形式存在，可能会对其性能产生不利影响。钨杂质的存在可能会降低碳化硅粉体的纯度，进而影响其物理和化学性质 ...纯碳化硅是无色透明的晶体。工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不同，而呈浅黄、绿、蓝乃至黑色，透明度随其纯度不同而异。碳化硅晶体 结构分为六方或菱面体的 α-SiC和立方体的β-SiC(称 立方碳化硅)。α-SiC由于其晶体结构中碳和硅原子的堆垛序列不同而构成许多不同变体，已发现70余种。黑碳化硅_百度百科
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4H-SiC中基面位错的氮修饰,Physical Review Applied - X-MOL
2022年5月9日 基面位错 (BPD) 对基于 4H 碳化硅 (4H-SiC) 的双极功率器件的可靠性提出了巨大挑战。众所周知，重氮（ ñ) 掺杂促进了 BPD 转化为穿透刃位错 (TED) 并提高了 4 H-碳化硅 - 基于双极功率器件。 然而，两者之间的相互作用 ñ 和 BPD，以及 ñ 关于 BPD 的电子特性的研究仍然不明确，这严重阻碍了对 BPD 电子传输 ...2019年5月7日 本发明将含杂的碳化硅粉体装载于高纯石英坩埚内进行反应，以减少其它杂质的带入。经反复试验证实：碳化硅物料装填的厚度越薄，杂质的效果越好，故本发明还提出含杂的碳化硅粉体厚度为1～8cm。更优选的含杂的碳化硅粉体厚度为2cm。深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
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